报告题目：二维硒氧化铋的生长调控及光电应用研究

报 告 人：刘小龙

报告时间：2023年5月12日上午9：00

报告地点：科技楼437

报告内容简介:硒氧化铋（Bi2O2Se）作为一种新型窄带隙半导体材料，具有极低的电子有效质量和超快本征光电响应，制备的电学、光电器件呈现出优异的性能表现。本报告基于材料生长和器件性能提升等对硒氧化铋的研究进展及挑战进行汇报，并介绍课题组近年来在硒氧化铋面外生长调控及高性能光电探测器制备等方面的研究结果。

报告人简介：刘小龙，华北电力大学新能源学院教授，主要研究方向为有机半导体/二维材料复合型光电探测器、新型半导体薄膜的生长与器件制备等。主持及作为项目骨干参与国家自然科学基金青年项目、国家自然科学基金面上项目、国家重点研发计划项目等。近年来以第一或通讯作者在Advanced Materials, Nano Letters, ACS Nano, J. Phys. Chem. Lett, J. Mater. Chem. C等期刊发表论文20余篇。